金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，广州光达创新科技有限公司申请一项名为“一种具有高像元密度的薄膜器件、感光装置及显示装置”的专利，公开号 CN 119342915 A，申请日期为2024年10月。 专利摘要显示，本发明公开了一种具有高像元密度的薄膜器件、感光装置及显示装置，所述薄膜器件包括：在背板上形成底金属电极阵列；在底金属电极的自由表面一层致密、无针孔的金属化合物薄膜层以完全覆盖底金属电极位于底金属电极上表面的金属化合物薄膜层为P型或N型半导体，且与底金属电极的上表面……