金融界2025年1月25日消息，国家知识产权局信息显示，广州光达创新科技有限公司申请一项名为“一种具有高像元密度的薄膜器件、感光装置及显示装置”的专利，公开号 CN 119342915 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有高像元密度的薄膜器件、感光装置及显示装置，所述薄膜器件包括：在背板上形成底金属电极阵列；在底金属电极的自由表面一层致密、无针孔的金属化合物薄膜层以完全覆盖底金属电极位于底金属电极上表面的金属化合物薄膜层为P型或N型半导体，且与底金属电极的上表面形成欧姆接触；在金属化合物薄膜层上从下到上依次形成连续/非图案化的有源层、连续/非图案化的上电荷传输层、连续/非图案化的顶金属电极、连续/非图案化的透明封装层。本发明通过钝化一层包裹底金属电极的金属化合物薄膜层，从而避免图案化的两个相邻底金属电极之间间距过小，导致相邻像元之间的电流泄漏的问题，从而提高了清晰度。

天眼查资料显示，广州光达创新科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2410.714万人民币。通过天眼查大数据分析，广州光达创新科技有限公司共对外投资了1家企业，知识产权方面有商标信息1条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可7个。

本文源自：金融界

作者：情报员